Semiconductor Module

Per l'analisi fisica dettagliata di dispositivi a semiconduttore

Semiconductor Module

Funzionamento di un transistor, una tensione di gate attiva il dispositivo e quindi determina la saturazione della corrente di drain.

MESFET, MOSFET e diodi Schottky

Il Semiconductor Module consente un'analisi dettagliata del funzionamento di un dispositivo a semiconduttore al livello della sua fisica fondamentale. Il modulo si basa sulle equazioni di diffusione e di deriva dei portatori utilizzando modelli di trasporto isotermo o non isotermo. È utile per simulare una moltitudine di dispositivi pratici – tra cui transistor bipolari, transistor a effetto di campo metallo-semiconduttore (MESFET), transistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET), diodi Schottky, tiristori e giunzioni PN.

Gli effetti multifisici spesso possono influenzare in modo drastico le prestazioni di un dispositivo a semiconduttore. I semiconduttori sono lavorati a temperature elevate, che possono esercitare tensioni sui materiali. Inoltre, i dispositivi ad alta potenza possono generare una notevole quantità di calore. Il Semiconductor Module consente la modellazione dei dispositivi a semiconduttore nella piattaforma COMSOL, per poter creare facilmente simulazioni personalizzate che tengono conto di molteplici effetti fisici. Inoltre è sempre possibile modificare le equazioni del modello per avere totale libertà nella definizione di fenomeni che non sono predefiniti nel modulo.

DC Characteristics of a MOS Transistor (MOSFET)

P-N Junction Diode with External Circuit

Bipolar Transistor

Breakdown in a MOSFET

P-N Junction Benchmark Model

Heterojunction Benchmark

Caughey-Thomas Mobility in a Semiconductor

Lombardi Surface Mobility in a Semiconductor