La Galleria delle Applicazioni raccoglie un'ampia varietà di tutorial e di app dimostrative realizzati con COMSOL Multiphysics in diversi ambiti applicativi, inclusi quelli elettrico, meccanico, fluidico e chimico. E' possibile scaricare i file dei modelli e delle app demo pronti all'uso e le istruzioni step-by-step per costruirli, e utilizzarli come punto di partenza per le proprie simulazioni.
Lo strumento di Ricerca Rapida permette di trovare i modelli che si riferiscono alla propria area di interesse.
Si noti che molti degli esempi qui presentati sono accessibili anche tramite le Librerie delle Applicazioni incorporate nel software COMSOL Multiphysics® e disponibili dal menu File.
This model uses the Semiconductor and RF modules to describe a photoconductive antenna (PCA). A laser pulse is applied on the surface of undoped LT-GaAs to generate electron-hole-pairs, which move under the influence of an external E-field creating a transient electric current pulse. ... Per saperne di più
In a MESFET, the gate forms a rectifying junction that controls the opening of the channel by varying the depletion width of the junction. In this model we simulate the response of a n-doped GaAs MESFET to different drain and gate voltages. For a n-doped material the electron ... Per saperne di più
This model shows how to model a simple Metal–Insulator–Metal (MIM) diode. The two metal electrodes are defined on each side using the Metal Contact feature. Two studies were performed: one without quantum tunneling across the potential barrier and the other including it, using the WKB ... Per saperne di più
This tutorial demonstrates how to model the band-to-band tunneling across a p–n junction. The tunneling effect is imitated by defining the User-Defined Recombination domain feature which makes the electrons disappear from the conduction band on the n-side and holes disappear from the ... Per saperne di più
This model shows how to model a simple Shockley diode— a four-layer PNPN semiconductor device. The Shockley diode is also named as thyristor. In this model, the Analytic Doping Model node is utilized to define the doping profiles for each domain. A time-dependent study is employed to ... Per saperne di più
