Molecular Flow Module
Nuova App: Ion Implanter Evaluator
Questa app esamina la densità di numero, la pressione e il flusso molecolare all'interno di un dispositivo di impiantazione ionica. L'angolo del wafer, la composizione chimica, la temperatura, il degassamento e la velocità della pompa sono tutti dati di ingresso. I risultati includono grafici 3D della densità di numero, mentre i risultati analitici indicano la densità di numero media lungo la linea.
Immagine di un'app Ion Implanter Evaluator che mostra la distribuzione di densità di numero in tutto il dispositivo e la media lungo la linea.
Immagine di un'app Ion Implanter Evaluator che mostra la distribuzione di densità di numero in tutto il dispositivo e la media lungo la linea.
Miglioramenti numerici per calcoli più veloci per Free Molecular Flow
L'interfaccia Free Molecular Flow è parallelizzata in modo più efficiente per consentire l'uso di un numero maggiore di core durante il calcolo. La tabella seguente mostra la maggior velocità dei tre modelli eseguiti in COMSOL Multiphysics 5.1 rispetto alla versione precedente. Una macchina a 10 core è stata utilizzata per eseguire le simulazioni.
| Tutorial | Tempo CPU (5.0) | Tempo CPU (5.1) | Accelerazione |
| Evaporator | 2h 24m 4s | 18m 31s | 7.8 |
| Degassamento tubi | 2m 57s | 45s | 3.9 |
| Impiantatore ionico | 5m 15s | 2m 1s | 2.6 |
Molteplici specie nel Molecular Flow
It is now possible to model multiple species in the Free Molecular Flow interface.
Nuova opzione per specificare il degassamento
Il degassamento può ora essere specificato in [(torr * l)/cm^2/s] o [(mbar * l)/cm^2/s] (l'unità SI equivalente è W/m2). È ora possibile utilizzare queste unità nella nuova funzionalità Thermal desorption quando è selezionata l'opzione di parete Outgassing come condizione al contorno.
Nuovo tutorial: Chemical Vapor Deposition at Ultra High Vacuum
La deposizione di vapore chimico (CVD) è un processo spesso utilizzato nell'industria dei semiconduttori per posare strati di materiale solido ad elevata purezza sopra un substrato di wafer. La CVD è ottenuta utilizzando molte tecniche diverse e vari valori di pressione, da atmosferica a vuoto ultra alto (UHV/CVD). Poiché UHV/CVD viene eseguita a pressioni inferiori a 10-6 Pa (10-8 Torr), il trasporto dei gas avviene per flusso molecolare e non contiene eventuali effetti idrodinamici come quelli di strato limite. Inoltre, l'assenza della chimica in fase gas (a causa della bassa frequenza di collisioni molecolari), il tasso di crescita sarà determinato dalla densità di numero delle specie e dei processi di decomposizione molecolare superficiale.
Questo tutorial utilizza molteplici specie nell'interfaccia Free Molecular Flow per modellare la crescita di wafer di silicio da CVD. Dopo aver eseguito un'analisi parametrica, vengono esaminati gli effetti di diverse curve di pompaggio.
Il grafico indica la frazione di flusso molecolare di SiH4 alla cassetta di wafer durante una Deposizione di vapore chimico a vuoto spinto.
Il grafico indica la frazione di flusso molecolare di SiH4 alla cassetta di wafer durante una Deposizione di vapore chimico a vuoto spinto.